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产品名称: D25Lx-I0-016-00
上市日期:2020-07-03

D25Lx-I0-016-00

产品介绍: D25Lx-I0-016-0025Gb/s LWDM DFB Laser Diode Chip描述D25Lx-I0-016-00系列是55度时波长分别在1269.23nm, 1273.54nm, 1277.89nm, 1282.26nm, 1286.66nm, 1291.1nm, 1295.56nm, 1300.05nm, 1304.58nm, 1309.14nm, 1313.73nm, 1318.35nm附近的单模边沿发射LWDM DFB激光器,可用于25Gb/s传输速率。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计,及脊波导、短腔等工艺,具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。前发射出光面镀增透膜层,后出光面镀高反射膜层(90%)。提供正负极焊盘镀金,支持金丝焊接。芯片正表面提供8位十进制数字编码用于追溯。所有出货的芯片均须符合100%的常温及高温测试规格。 关键特性Ø 低阈值电流(,常温)Ø 高输出光功率Ø 调制速率可达25GbpsØ 工作温度支持-40°C~85°CØ RoHS compliant,可靠性符合Telcordia GR-468
面料: -40°C~85°C
类别: 25Gb/s
型号:
  • 产品介绍

D25Lx-I0-016-00

25Gb/s LWDM DFB Laser Diode Chip

P2565-I0-002-00



描述


D25Lx-I0-016-00系列是55度时波长分别在1269.23nm, 1273.54nm, 1277.89nm, 1282.26nm, 1286.66nm, 1291.1nm, 1295.56nm, 1300.05nm, 1304.58nm, 1309.14nm, 1313.73nm, 1318.35nm附近的单模边沿发射LWDM DFB激光器,可用于25Gb/s传输速率。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计,及脊波导、短腔等工艺,具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。前发射出光面镀增透膜层,后出光面镀高反射膜层(90%)。提供正负极焊盘镀金,支持金丝焊接。芯片正表面提供8位十进制数字编码用于追溯。所有出货的芯片均须符合100%的常温及高温测试规格。

 


关键特性


Ø 低阈值电流(<10mA,常温)

Ø 高输出光功率

Ø 调制速率可达25Gbps

Ø 工作温度支持-40°C85°C

Ø RoHS compliant,可靠性符合Telcordia GR-468


-40°C~85°C

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