1
产品介绍：
10G DWDM EML Chip 描述10G DWDM EML 单模边沿发射半导体外调制激光器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱结构设计，掩埋异质结工艺。该系列芯片可提供1529.55nm～1560.61nm 共40个波长，具有低阈值、高带宽、高可靠性等特点，主要应用于10Gb/s 40/80km距离的波分复用传输网产品。
面料：
类别：
型号：
10G DWDM EML Chip
描述
10G DWDM EML 单模边沿发射半导体外调制激光器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱结构设计，掩埋异质结工艺。该系列芯片可提供1529.55nm～1560.61nm 共40个波长，具有低阈值、高带宽、高可靠性等特点，主要应用于10Gb/s 40/80km距离的波分复用传输网产品。
Request Datasheet：sales@mindsemi.com