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产品介绍：
10G CWDM DFB Chip描述10G CWDM DFB 单模边沿发射半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺。该系列芯片可提供1270nm～1610nm 共18个波长，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于以太网和4G/5G无线前传接入网络。
面料：
类别：
型号：
10G CWDM DFB Chip
描述
10G CWDM DFB 单模边沿发射半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导工艺。该系列芯片可提供1270nm～1610nm 共18个波长，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于以太网和4G/5G无线前传接入网络。
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