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产品介绍：
25G LWDM DFB Chip描述25G LWDM DFB 单模边沿发射半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导及短腔工艺。该系列芯片可提供1269.23nm～1318.35nm 共12个波长，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于数据中心100G光模块和5G无线前传接入网络。
面料：
类别：
型号：
25G LWDM DFB Chip
描述
25G LWDM DFB 单模边沿发射半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料，多量子阱结构设计，脊波导及短腔工艺。该系列芯片可提供1269.23nm～1318.35nm 共12个波长，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点，主要应用于数据中心100G光模块和5G无线前传接入网络。
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