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产品名称: 1
上市日期:2022-04-14

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产品介绍: 1310nm LP SLD描述1310nm LP SLD 半导体超辐射发光二极管芯片采用InGaAsP材料,多量子阱结构设计,异质结掩埋工艺。该系列芯片主要应用于光纤陀螺,光学相干层析成像技术(Optical Coherent Tomograpgy, OCT),光学测试仪器,光纤通信等产品。
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1310nm LP SLD


P2565-IA-002-00


描述


1310nm LP SLD 半导体超辐射发光二极管芯片采用InGaAsP材料,多量子阱结构设计,异质结掩埋工艺。该系列芯片主要应用于光纤陀螺,光学相干层析成像技术(Optical Coherent Tomograpgy, OCT),光学测试仪器,光纤通信等产品。


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