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产品介绍：
10G 1550nm EML Chip描述10G 1550nm EML 单模边沿发射半导体外调制激光器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱结构设计，掩埋异质结工艺。该系列芯片具有低阈值、高带宽、高可靠性等特点，主要应用于10Gb/s 40/80km距离的传输网产品。。
面料：
类别：
型号：
10G 1550nm EML Chip
描述
10G 1550nm EML 单模边沿发射半导体外调制激光器芯片采用InGaAsP/InP材料，多量子阱结构设计，掩埋异质结工艺。该系列芯片具有低阈值、高带宽、高可靠性等特点，主要应用于10Gb/s 40/80km距离的传输网产品。。
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