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产品名称: 1
上市日期:2022-04-14

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产品介绍: 10G PD描述10G PIN PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料,GSG电极共面结构,50um光敏面设计。该系列芯片具有高带宽,低电容,高响应度和低暗电流,高可靠性等特性,主要应用在10G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。
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10G PD


P2565-IA-002-00


描述


10G PIN PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料,GSG电极共面结构,50um光敏面设计。该系列芯片具有高带宽,低电容,高响应度和低暗电流,高可靠性等特性,主要应用在10G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。


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