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产品介绍：
10G PD描述10G PIN PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料，GSG电极共面结构，50um光敏面设计。该系列芯片具有高带宽，低电容，高响应度和低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在10G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。
面料：
类别：
型号：
10G PD
描述
10G PIN PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料，GSG电极共面结构，50um光敏面设计。该系列芯片具有高带宽，低电容，高响应度和低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在10G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。
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