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产品介绍:
56G PD描述56G PIN PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料,GSG电极共面结构,16um光敏面设计。该系列芯片具有低电容,高响应度和低暗电流,高可靠性等特性,主要应用在56G PAM4光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。
面料:
类别:
型号:
56G PD
描述
56G PIN PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料,GSG电极共面结构,16um光敏面设计。该系列芯片具有低电容,高响应度和低暗电流,高可靠性等特性,主要应用在56G PAM4光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。
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