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产品介绍：
10G APD描述10G APD 雪崩光电二极管芯片采用InAlAs/InP材料，P/N电极异面结构，40um光敏面设计。该系列芯片具有高响应度，高灵敏度，低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在传输网产品的光接收器。
面料：
类别：
型号：
10G APD
描述
10G APD 雪崩光电二极管芯片采用InAlAs/InP材料，P/N电极异面结构，40um光敏面设计。该系列芯片具有高响应度，高灵敏度，低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在传输网产品的光接收器。
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