1
产品介绍：
25G APD描述25G APD 雪崩光电二极管芯片采用InAlAs/InP材料，P/N电极共面结构，16um光敏面设计。该系列芯片具有高响应度，高灵敏度，低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在25G PON、5G无线接入、数据中心以及传输网产品的光接收器。
面料：
类别：
型号：
25G APD
描述
25G APD 雪崩光电二极管芯片采用InAlAs/InP材料，P/N电极共面结构，16um光敏面设计。该系列芯片具有高响应度，高灵敏度，低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在25G PON、5G无线接入、数据中心以及传输网产品的光接收器。
Request Datasheet：sales@mindsemi.com